KomponentGoogl-ში ვნახე SS9018-ის მონაცემები. "SS9018 NPN RF Transistor" ამ შემთხვევეში RF იშიფრება როგორც: Radio Frequency. ეს ძალიან ზოგადი ცნებაა. იგულისხმება სიხშირეთა დიაპაზონი 3 kHz - 300 MHz. რაც ამ დიაპაზონში მუშაობა ყველაფერს შეიძლება დარქვან RF. გამკეთებელი ფირმა ამბობს , რომ ეს არის NPN ტრანზისტორი.
რაც შეეხება კითხვას: არსებობა თუ არა ტრანზისტორი შოტკის პრინციპზე? მოდი, ჯერ გავარკვიოთ რა არის P-N და რა შოტკის გადასვლა?
P-N გადასვლას ადგილი აქვს ორი ნახევარგამტარის საზღვარზე, რომელთაგან ერთი P ტიპისაა ხოლო მეორე N ტიპის.
შოტკის გადასვლა ხდება ნახევარგამტარისა და მეტალის საზღვარზე. ნახევარგამტარი ამ შემთხვევაში შეიძლება იყოს როგორც P ტიპის ასევა N ტიპის.
აქედან გამომდინარე დიოდის დამზადება შოტკის გადასვლაზე შესაზლებალია და გამოდის კიდევაც უამრავი. რაც შეეხება ტრანზისტორს აქ ცოტა რთულადაა საქმე. ბიპოლარულ ტრანზისტორში უნდა იყოს ორი PN გადასვლა, თითოეულ მათგანზე ორივე მხარეს ნახევარგამტარებით. მეტალის ადგილი აქ არ არის ამიტომ პირდაპირი გაგებით ბიპოლარული ტრანზისტორი შოტკის ბარიერებით არ არსებობს. მაგრამ თუ ჩვეულებრივ ბიპოლარულ ტრანზისტორს ბაზასა და კოლექტორს შორის PN გადასვლის პარალელურად ჩაურთავთ შოტკის დიოდს, ეს შოტკის დიოდი დადებით ზეგავლენას მოახდენს ტრანზისტორის მაღალსიხშირულ მახასიათებლებზე. (ეს ყველაფერი ერთ კრისტალში უნდა იყოს ჩამონტაჟებული რა თქმა უნდა!). ასეთ "რამეს" მეტსახელად ეძახიან შოტკის ტრანზისტორს და ის ფართოდ გამოიყენება ლოგიკურ მიკროსქემებში 74Sxx, 74LS.xx, 74ALSxx...
ველის ტრანზისტორები ნაირნაირი არსებობს. მათ ორის არის შოტკის ბარიერზედაც.
MESFET (metal semiconductor field effect transistor). ესენი ძალიან მაღალსიხშირულებია,
http://en.wikipedia.org/wiki/MESFET This post has been edited by Muon on 15 Feb 2013, 12:31
მიმაგრებული სურათი
· 
რადიოტექნიკა და ელექტრონიკა
