აბა ჯიგრებო
ცოტა მმმ
კაჟბადის კრიასტალი არის 4- ვალენტიური მყარი კრისტალური მესერი.
ანუ: სითბური ეფექტის შედეგად
ელექტრონი შეიძლება ”ამოვარდეს” და მცირე დროით გახდეს თავისუფალი, ატომი კი
(ამავე დროით) გახდეს დადებითად დამუხტული იონი.
რეკომბინაცია
ეს იონი არის ”ხვრელი”.
ელექტრონების განთავისუფლება და რეკომბინაცია ხშირად ხდება და გამოდის რომ
კრისტალში კონკრეტულ მომენტში თავისუფალი ელქტრონების რაღაც რაოდენობა მაინც
არსებობს.
ამ კრისტალს ძაბვის წყაროს ელექტროდებთან თუ დავაკავშირებთ,
დადებითი ელექტროდი მიიზიდავს თავისუფალ ელექტრონებს, თავისუფალი ელექტრონი
შეავსებს გვერდზე მყოფ ხვრელს (+ ელექტროდის მიმართულებით ! ), იმ პირველ ხვრელს
შეავსებს მინუს-კონტაქტის მხრიდან სხვა ელექტრონი და შედეგად მივიღებთ ელექტროდენს.
ამ პროცესს საკუთარი ნახევარგამტარობა ქვია.
ისევ ქიმია და 5-ვალენტიანი ფოსფორი შევურიოთ ამ კაჟბადს. 4 ვალენტობით (4 გარე შრეზე მყოფი ელექტრონით)
ფოსფორის ატომი დაუკავშირდება კაჟბადის ატომებს, ერთი ელექტრონი კავშირის გარეშე
რჩება და ადვილად თავისუფლდება. ამ შენაერთში ასევე ხდება თავისუფალი ელექტრონების
და ხვრელების წარმოქმნა, ამ პროცესს ემატება ფოსფორის ატომის მეხუთე ელექტრონი და გამოდის
რომ ელექტრონების რაოდენობა შენაერთში საშუალოდ მეტია ხვრელების რაოდენობაზე,
გამტარობა ელექტრონული ხასიათისაა, მინარევს ”დონორი”ქვია (ფოსფორი ელექტრონს
გასცემს), შენაერთს კი n-ნახევარგამტარი.
ავიღოთ და 3-ვალენტიანი ბორი შევურიოთ ამ სუფთა კრისტალს. (”სუფთა” ნიშნავს
არაუმეტეს მინარევის 1 ატომი 1 000 000 000 კაჟბადის ატომზე, ანუ ძალიან სუფთა )
ბორი 3 ელექტრონით დაუკავშირდება კაჟბადს, მაგრამ კაჟბადის მეოთხე ელექტრონი
ხშირად მაინც უკავშირდება ამ ბორის ატომს და ეს ატომი ხდება უარყოფითად დამუხტული
იონი, ის კაჟბადის ატომი კი დადებით მუხტს იძენს და ხდება ხვრელი.
ამ სახის მინარევს ქვია "აქცეპტორი" (ანუ იღებს ელექტრონებს),
შენაერთს კი "p-ნახევარგამტარი."
p და n ნახევარგამტარებს ერთმანეთთან კონტაქტში თუ მოვიყვანთ (სურათი 1), საინტერესო ეფექტს
ექნება ადგილი: სასაზღვრო ზოლში n-ნახევარგამტარის ელექტრონები შეავსებენ p-ნახევარგამტარის
ხვრელებს და n-შენართის მხრიდან დარჩება კაჟბადის დადებითად დამუხტული იონები,
p-შენართის მხრიდან კი უარყოფითად დამუხტული ბორის იონები, მარტივად რომ ვთქვათ
წარმოიქმნება კონდენსატორის ანალოგი, რომელიც დაახლოებით 0.7 ვოლტის
პოტენციალით არის დამუხტული (კაჟბადისთვის).
სურათი 1.
ეს სასაზღვრო ზოლი გარკვეული სისქისაა, პრაქტიკულად
ერთ მხარეს (მაგალითად n მხარეს ) მინარევის კონცენტრაცია
გაცილებით მეტია მეორე მხარესთან შედარებით, ამიტომ საზღვარი უფრო მეტად გავრცობილია
დაბალი კონცენტრაციის მქონე ნახევარგამტარში .
დავუშვათ n-ნახევარგამტარში ფოსფორის კონცენტრაცია მეტია (აღნიშნულია n+).
n და p მხარეებს ძაბვის წყაროს თუ მივუერთებთ (”-” n მხარეს, ”+” p მხარეს), გარე ძაბვა
(0.7 ვოლტზე მეტი) გაანეიტრალებს არსებული ”კონდენსატორის” მუხტს,
მინუს-ელექტროდიდან გამოსული ელექტრონები და თავისუფალი ელექტრონები
დაიწყებენ მოძრაობას +ელექტროდისკენ, გადავლენ p მხარეს (ამას ”ინჟექცია” ქვია)
და გადავლენ +ელექტროდში, ანუ ამ მიმართულებით გავა დენი.
ელექტროდებს საპირისპიროდ თუ მივუერთებთ, +ელექტროდი მიიზიდავს n მხარეს
არსებულ ელექტრონებს, -ელექტროდიდან გამოსული ელექტრონები ხვრელების
ნეიტრალიზაციას შეუწყობს ხელს, p-n-საზღვარი გაფართოვდება და ჩამკეტის როლს
შეასრულებს, ანუ დენი არ გავა.
მიამაგრეთ ორივე მხარეს კონტაქტები, ჩასვით ეს ყველაფერი კორპუსში და მიიღებთ
დიოდს (დიოდი მოწყობილობაა რომელიც დენს ერთი მიმართულებით ატარებს,
გმოიყენება მაგალითად ცვლადი დენის გამართვისთვის)
"""""
""{
ქუოტე მთლიანად
აბა ფიზიკოსები და ელექთრონშიკები ვისაც ცემგან განსხვავებით არა ფრაგმენტული არამედ საფუძვლიანი ცოდნა აქვას
(ვაი მეეე ლოლ
რესპექტ))
იესს
)
* * *
აბა ჯიგრებო საფუძვლებს მივხედოთ
არა რატო ვიძახი ამას, კონკრეტულად ვხედავ, დონე "ნი ტო" , ინტერესი კლებულობს,, გამოდებილდება თაობა რა ... იმენნა...
ოჰჰჰ... კაი ყოლიფერი პრინციპში ოკ