ასე:
http://pcbheaven.com/wikipages/Transistor_theory/?p=13ვნახოთ დენის გაძლიერება:
ბაზა ემიტერში გამავალი მცირე სიდიდის დენი (5-10 მილიამპერი, ვთქვათ), იწვევს კოლეტორ-ემიტერის გაღებას და მასში დენის გავლას 20-40 მილიამპერის გავლას, ვთქვათ. ეს კონკრეტული რიცხვები დამოკიდებულია კონკრეტულ ტრანზისტორზე.
ვთქვათ ბაზა-ემიტერში 5 მილიამპერის გავლისას, კოლექტორ-ემიტერში გადის 10 მილიამპერი.
ხოლო ბაზა-ემიტერში 10 მილიამპერის გავლისას, კოლექტორ-ემიტერში გადის 40 მილიამპერი.
დანარჩენი შუაში ცვლილება ხდებოდეს სინუსიოდალური კანონით, ან როგორც გინდა პრინციპში.
ესეიგი, ბაზა ემიტერში 5-10 მილიამპერის ფარგლებში ცვლილებადი დენი იქვევს კოლექტორ-ემიტერში 20-40 მილიამპერიან ცვლილებას.
ეს რატომ ხდება, მიზეზი უნდა ეძებო ნახევარგამტარების და p-n კონტექტების ამბებში.
ეხლა ვნახოთ ძაბვის გაძლიერება, იგივე მაგალითზე.
ბაზა-ემიტერზე მოდებული მცირე ძაბვა, რომელიც იწვევს ამ 5-10 მილიამპერიან ცვლილებას მასში. ვთქვათ ეს ძაბვა იცვლება 50-100 მილივოლტებში.
ეხლა, კოლექტორს მიერთებული აქვს 1 კილოომი რეზისტორი და მერე შეერთებულია ვთქვათ +50 ვოლტიან კვებაზე.
ზემოთ ვნახეთ, რომ 5-10 მილიამპერმა ბაზა-ემიტერში გამოიწვია კოლექტორ-ემიტერში გამავალი 20-40 მილიამპერი დენი.
ეს 20-40 მილიამპერი გადის 1 კილოომის გავლით.
ავდგეთ და დავითვალოთ ამ 1 კილოომზე ძაბვის ცვლილება:
I1 = 20 მილიამპერი.
I2 = 40 მილიამპერი
U1 = I1 * R = 20 მილიამპერი * 1 კილოომზე = 0.02 * 1000 = 20 ვოლტი.
U2 = I2 * R = 40 მილიამპერი * 1 კილოომზე = 0.04 * 1000 = 40 ვოლტი.
როგორც ვხედავთ რეზისტორში ძაბვა იცვლება 20 ვოლტიდან 40 ვოლტამდე, ანუ 50-100 მილივოლტი გავაძLიერეთ 20-40 ვოლტამდე.
ეს ციფერბი არის მხოლოდ მაგალითი და არაფერი აქვთ საერთო კონკრეტულ რომელიმე ტრანზისტორთან.
ძაან დიდი გაძლიერება გამომოვიდა. არადა როგორც წესი ამაზე მცირეა ხოლმე გაძლიერება 1 ტრანზისტორზე.
აი კ იდევ ერთი დიაგრამა:
http://www.circuitstoday.com/demosfet-amplifiers This post has been edited by asphurcela on 7 Nov 2012, 22:02 
· 
რადიოტექნიკა და ელექტრონიკა
