რადიოტექნიკა და ელექტრონიკა

asphurcela
ZAZAi
ხო საერთოდ აზრზე არ ვარ ეხლა ვიწყებ და რა მაჩვენებლებით იზომება ტრანზისტორი? ვოლტი, ამპერი და ვატით თუ წეღან რომ ახსენეთ გარკვეული წინაღობაც აქვსო ეს მონაცებიც უნდა იყოს მითითებული?

დიოდებზე და ბოგირებზეც თუ დაწერთ რამეს დიდ მადლობას გეტყვით :)

forsaken_d
ზოგჯერ უბრალოდ სკოლის ფიზიკის სახელმძღვანელო რომ გადაიკითხო, კარგი იქნება

გავაგრძელებ გადამცემის განხილვას და კითხვებს ბოლოს ვუპასუხებ.
ბოლოს გავჩერდი დაბალი სიხშირის R2-R3-VT1 დაბალი სიხშირის გამაძLიერებელზე.
ვანხოთ აქ რა ხდება და გამოვთვალოთ ძაბვები და დენები თითოეულ ელემენტში.
VT1 ტრანსისტორი ჩართულია "საერთო ემიტერით". საერთო ემიტერით ჩართვა ნიშნავს, რომ შესავალი სიგნალი და გამოსავალი სიგნალი ერთ საერთო ტერმინალზე ზის და ესაა ემიტერი. არსებობს საერთო კოლეკტორით ჩართვა და საერთო ბაზით ჩართვა. ანუ რომელი ტერმინალიც საერთო აქვთ შესავალ და გამოსავალ სიგნალებს, ისაა ჩართვის ტიპიც.
R3 ემსახურება ჩვეულებრივ დატვირთვას, და სარულებს გაძLიერებაშI მნიშვნელოვან როლს. კონკრეტულად როგორ, აქამდე მივალთ, როცა გავაგრძელებ დაწყებულ "გაკვეთილებს". ეხლა რომ დავიწყო ახსნა, არამგონია კარგი იდეა იყოს, თემას გადაგვავევინებს მნიშვნელოვნად. ამიტომ ცალკე უნდა განვიხილოთ.
R2-ს აკისრია საინტერესო მისია. ის არის უარყოფითი უკუკავშირის ელემენტი.
საერთო ემიტერით ჩართული ტრანსისტორის ბაზაზე მოქმედი ცვლადი სიგნალი და ამავე ტრანზისტორზე კოლეკტორ-ემიტერზე აწუკვე გაძლიერებული სიგნალი ერთმანეთთან ადგენენ 180 გრადუსიან ფაზას. ეს ნიშნავს, რომ ერთი თუ იზრდება მეორე კლებულობს და პირიქით.
წარმოიდგინეთ 2 სინუსოიდა 180 გრადუსიანი ფაზით წანაცვლებულნი. ესენი ერთმანეთს "ემტერებიან" და ერთმანეთს ახშობენ.
ამ კონკრეტულ შემთხვევაშიც, კოლექტორი R2-ით მიერთებულია ბაზას. ცვლადი და გაძლიერებული სიგნალი ედება ბაზაზე შემავალ სიგნალს 180 გრადუსიანი წანაცვლებით და პრინციპში ასუსტებს მას. R2 ამავდროულად იწვევს მუდმივ დენს ბაზა-ემიტერის წრედში და ქმნის მასზე სასურველ ძაბვას.
გაყავს ტრანსისტორი მუშა რეჟიმში და ვოლტ-ამპერულ მახასიათებელზე ქნმის წინასწარ შერჩეულ რეჟიმს (იხილეთ ნახაზი-1 წინა და ზედა პოსტებში).
უარყოფითი უკუკავშირი მართალია ზოგადად ამცირებს გაძლიერების კოეფიციენტს, მაგრამ ტრანსისტორი სტაბილურ რეჟიმში მუშაობს და იზრდება სიხშირული გატარების ზოლი. ეს უკანასკნელი კი არის უნარი გაატაროს სიხშირის რაც შეიძლება დიდი დიაპაზონი. ესეც ცალკე თემაა და შემოვიფარგლოთ ამ ინფორმაციით.
გადავიდეთ ჩვენს ძირითად ამოცანაზე და დავთვალოთ დენები და ძაბვები თითოეულ ელემენტში.
მოგვიხდება ომის და კირკჰოფის მარტივი კანონების გამოყენება და პატარა მიახლოებბები და დაშვებებიც.
დასაწყისში კეთდება ეკვივალენტური სქემა. მაგრამ აქ პრინციპში ცოტა ელემენტებია და ამ მოცემულ მომენტში უმაგისოდაც გავალთ იოლად.
შემოვიღოთ აღნიშვნები:
E = 9 ვ - კვების წყაროს ძაბვა.
U3 და I3 -იყოს R3 ზე ძაბვა და მასში გამავალი დენი.
U2 და I2 -იყოს R2 ზე ძაბვა და მასში გამავალი დენი.
UC1 და IC1 -იყოს VT1 ის კილექტორ-ემიტერზე ძაბვა და დენი.
UBE1 და IBE1 - VT1 ის ბაზა-ემიტერზე ძაბვა და დენი.
U4 და I4 იყოს R4 ზე ძაბვა და დენი. და ასე შემდეგ.
აქ ვაკეთებთ პატარა უმტკივნეულო დაშვებას, რომელიც მცირე გავლენას ახდენს გამოთვლის საბოლოო სისწორეზე:
ესაა: I3 მიახლოებით უდრის IC1-ს. ვნაიდან ბაზა-ემიტერში გამავალი დენი გაცილებით მცირეა კოლექტორ-ემიტერში გამავალ დენზე, ამიტომ ვაკეთებთ ამ დაშვებას.
ვწერთ ომის/კირკჰოფის კანონს:
E = U3 + U2 + UBE1 (1)
I3 = I2 + IC1 + I4 (2)
ჩემი დაშვებით, ვინაიდან I2<<IC1 (ვინაიდან 300 კილოომზეა მიერთებული ბაზა VT1 ტრანსისტორის.)
I4-თან ცოტა რთულადაა საქმე, რადგან 9 კილოომით უერთდება ჯერჯერობით უცნობ ძაბვას.
მაგრამ მიახლოებით შეიძლება დავსვათ. ვინაიდან R4 პირველი ტრანსისტორის კოლექტორს უერთდება, ამიტომ ჯერ არ ვიცით კოლექტორზე რა ძაბვა ზის და I4 დენსაც ზუსტად ვერ გავიგებთ. მასში გამავალი დენი სწორედ VT1 -ის მდგომარეობაზეა დამოკიდებული. სავარაუდოდ 20-50 მიკროამპერის ფარგლებშია და თუ IC1 მილიამპერებშია, მაშინ ამის დროებით დავიწყებაც შეიძლება.
ასევე, ვაფიქსირებთ და ყურადღებას ვაქცევთ, რომ ტრანსისტორის ბაზა-ემიტერზე ყოველთვის ჯდება 0.6-0.9 ვოლტი ძაბვა.
ვინაიდან ძალიან დაბალი სიმძლავრის ტრანზისტორებია ორივე. ამიტომ ვიღებთ UBE1 = 0.6 ვ ძაბვას.

ოკ. ვუშვებთ რომ I3 = IC1 და დავუბრუნდეთ ზედა (2) განტოლებას:
E = I3*R3 + IB1*R2 + 0.6 ჩავანცვლოთ I3 = IC1. ასევე ცნობილია ხოლმე ტრანსისტორი პარამეტრი ბეტა, რომელიც არის IC / IBE კოლექტორის დენი გაყოფილი ბაზის დენზე. ბეტა როგორ დავწერო არ ვიცი და მე დავარქმევ K-ს. რომელიც დატაშიტებშია ხოლმე მოცემული და არის 50 - 300 ის ფარგლებში. ალბათ მეთიც და ნაკლებიც. KT-315 ის ბეტა სადღაც 100 -ია. ზუსტად არ ვიცი, მიახლოებითია. ამიტომ მივიღებთ:
IC1 = K* IBE1 აქდედან IBE1 = IC1 / K და ჩავსვათ
E = IC1*R3 + (IC1 *R2/K) +0.6 აქედან განვსაზღვრავთ კოლექტორის დენს:
IC1 = (E - 0.6) / (R3 + R2/K) = (9-0.6) / (9100 + 300000/100) = 8.4 / 12100 = 0.7 მილი ამპერი.
დანარჩენები უკვე ამ კოლეკტორის დენით იანგარიშება:
U3 = 0.7 * 9100 = 6.4 ვოლტი (ვამრგვალებ თან)
UC1 = E - U3 = 9 - 6.4 = 2.6 ვოლტი.
U2 = UC1 - UBE1 = 2.6 - 0.6 = 2 ვოლტი.
I2 = IBE1 = U2 / R2 = 2 / 300 000 = 7 მიკროამპერი.
ეხლა უკვე შემიძლია I4 ში გამავალი დენი, რომელიც მეორე ტრანსისტორის ბასა-ემიტერში გამავალი დენია იმავდროულად გამოვთვალო:
U4 + UBE2 = UC1 (UBE2 ანალოგიური დაშვებით არის როგორც წესი 0.6-0.9 ვოლტი. მცირე სიმძლავრის ტრანსისტორებში ვუშვებთ 0.6 ვოლტს)
U4 = UC1 - 0.6 = 2.6 - 0.6 = 2 ვოლტი
I4 = U4 / R4 = 2 / 9100 = 200 მიკროამპერი (დავამრგვალე)
ეს იყო ჩვენი დაბალი სიხშირის გამაძლიერებელი. მომდევნო იქნება უკვე გენერატორი. ეს სხვა დროს.


საინტერსოა თუ დაემთხვევა ჩემი გამოთვლები უკვე აწყობილს.
ზაზა, გაზომე აბა ძაბვები პირველ ტრანსისტორზე. შეიძლება K (ბეტა) კოეფიციენტში მაქ შეცდომა და 100 ის მაგივრად 200 ია.
ამას ცოტა დაშვებებისას გაკეთებული ცდომილება მიემატება და ვფიქრობ საკმაოდ ახლოს უნდა ვიყო რელურ ძაბვა-დენებთან.
* * *
forsaken_d

იზომება თუ ხასიათდება? თუ იზომებას გულისხმობ არ ვიცი რა გიპასუხო და თუ ხასიათდება იგულისხმე, მაშინ:
კოლექტორზე მაქსიმალური დასაშვები ძაბვით, მასში გამავალი მაქსიმალური დენით.
ბაზის მაქსიმალური დასაშვები დენით. სიხშირით, გაძლიერების ბეტა კოეფიციენტით და სპეციფიკური ვოლტამპერული მახასიათებლით, რომელიც დატაშიტებში ხაზია ხოლმე. კიდევ თერმული კოეფიციენტები და ათასი რამეა ხოლმე. ძირითადად ისინი რაც ჩამოვთვალე.

ტრანსისტორს არ აქვს ფიქსირებული წინაღობა. მისი წინაღობა მის მდგომარეობაზეა დამოკიდებული.
არის გაღებული ტრანსისტორი, ამ დროს მისი წინაღობა მინიმალურია რამოდენიმე მეათედი და ერთეული ომიც კი.
დაკეტილი - კილოომები და თითქმის მეგაომებშიც ადის.
და ნახევრად ღია - ნებისმიერი მნიშვნელობა მინიმალურსა და მაქსიმალურშ შუა.
მინიმმალურ წინაღობას წერენ დატაშეიტებში ოღონდ ველიანი (პალევიკები) ტრანსიზტორებისთვის.

დიოდებზე და ბოგირებზეც ვისაუბრებთ, ალბათ. ყველაფერი ერთბაშად სამწუხაროდ არ გამოდის :)

ვინც ელექტროგიტარაზე უკრავს: გთავაზობთ ელექტროგიტარის ეფექტის- დისტორშენის სქემას. ტრანზისტორი KT3102, მშრალ ხიდზე
მიკროსქემა- TL071 an TL081 ტიტანში ან dac.ge ზე. დანარჩენი დეტალები ყველგან ყრია და კაპიკები ღირს. შეგიძლიათ მოხსნათ რაიმეს.
სქემას უნდა დაუყენდეს გადასართველი კლინი< - >ეფექტი.

ნუ ელოდებით, რომ ყველაფერს დაგიღეჭავთ. ცოტა თქვენც გაანძრიეთ ხელები, ტვინები, მაუსები. :) დაძებნეთ ინფო ინტერნეტში და დააგროვეთ ცოდნა და გამოცდილება

This post has been edited by ZAZAi on 13 Oct 2011, 13:51

მიმაგრებული სურათი (გადიდებისთვის დაუწკაპუნეთ სურათზე)

ZAZAi
მიმიწერა კაცურად http://dac.ge/ აქ რომელი ნაწილები დამჭირდება და დამეხმარე აწყობაში :)

კონკრეტული ტრანზისტორის გაძლიერების კოეფიციენტი არასდროს არ ემთხვევა საპასპორტოს და მხოლოდ ხელსაწყოთი დგინდება ინდივიდუალური გაზომვით. ბევრ ციფრულ ტესტერს აქვს ამის გაზომვის საშუალება.
ტრანზისტორის კოლექტორზე დატვირთვის რეზისტორი R3 შეირჩევა კომპრომისით გამოსასვლელი წინაღობა<->გაძლიერების კოეფიციენტი და კრიტიკული არ არის, 3K დან15K მდე ყველა წავა.
რეალურად, შერჩევა ჭირდება მუშა წერტილის წანაცვლების რეზისტორს, R2, რომელიც ერთდროულად უარყოფითი უკუკავშირის ფუნქციასაც ასრულებს. მათემატიკურ გამოთვლებზე ტვინის ჭყლეტვას, (ისინი მაინც არაა ზუსტი) მე ვამჯობინებ გენერატორით და ოსცილოგრაფით დავაყენო მუშა წერტილი ტრანზისტორზე.
მე ვფიქრობ, გენერატორის და ოსცილოგრაფის გამოყენების შესწავლა ძალიან სასარგებლო იქნება რადიომოყვარულებისთვის

* * *

ბიპოლარულ ტრანზისტორებში P-N გადასასვლელზე ყოველთვის ხდება ძაბვის ვარდნა და ამიტომ ვერ აღწევენ დაბალ წინაღობას გახსნილ მდგომარეობაში. მიტომაც არ წერენ დატაშიტებში, რომ ძალიან დიდია :)
სამაგიეროდ ველურ MOSFET ტრანზისტორებში ეს სიდიდე ომის მეასედებსაც კი აღწევს. თუმცა კი ამას მნიშვნელობა აქვს დაბალი ძაბვების კომუტაციის დროს. სადაც ძაბვა 100ვ ზე მეტია, გახსნილი ტრანზისტორის მინიმალური წინაღობა აღარაა ასე კრიტიკული

ZAZAi

ხო ეგ თავისთავად ეგრეა. მარა მაინც ინტერესის ამბავია. თუ აწყობილი გაქვს ისევ და არ დაგიშლია ნახე აბა ძაბვები.
სურათზე კი ჩანს რო რაღაცა სილოკონი აქ ჩასხმული. :)

ოკ. ვაგრძელებ გადამცემის განხილვას და გადავდივარ გენერატორზე.
ვინაიდან ზედმეტი მათემატიკა მოსაწყენია. ამიტომ მხოლოდ ზოგადი ანალიზით შემოვიფარგლები.
მეორე ტრანსისტორი, გაგიკვირდებათ და ჩართულია საერთო ბაზით.
მისი მთავარი ელემენტ(ებ)-ია LC კონტური. რომელიც შედგება 2 ინდუქციურობისგან (L = L1+L2). ინდუქციურობები მიმდევრობით შეერთებისას იკრიბება.
ძირითადი კონტურია L1C3, რომელიც ჩართულია ემიტერის წრედში. და C2 -ით იქმნება დადებითი უკუკავშირი, რაც გენერაციის მთავარი პირობაა.
დადებითი მიმიტომ, რომ ემიტერის და ბაზის წრედში გამავალი ცვლადი სიგნალები ერთმანეტთან 0-ოვან ფაზას ქმნიან.
მთავარი კონტური კი არის L1C3, მაგრამ მის რეზონანსულ სიხშირეს განაპირობებს ასევე C2 და ბაზა-ემიტერის p-n გადასასვლელი, რომელსაც აქვს ტევადობა საშუალოდ 2-5 პიკოფარადის ოდენობის. მაღალი სიხშირის ტრანსისტორებს ნაკლები, დაბალი სიხშირისებს მეტი.
p-n გადასასვლელის საინტერესო თვისება კიდევ ისაა, რომ მასზე ძაბვის მოდებით, მომატება-დაკლებით მისი ტევადობა იცვლება ძაბვის მიხედვით.
ეს ნახევარგამტარების ფიზიკის სფეროა და კონკრეტულად რატო ხდება ასე, ეს დიდი ისტორიაა. დავანებოთ თავი და მხოლოდ ფაქტით შემოვიფარგლოთ.
ე.ი. კონტურის რეზონანსულ სიხშირეზე გავლენა აქვს როგორც C2-ს, ისე ბაზა-ემიტერზე ძაბვის სიდიდეს. სწორედ ეს ეფექტია გამოყენებული აქ და R4 -იდან შემოსული გაძლიერებული აუდიო სიგნალი ედება ბაზა-ემიტერს, ცვლის მასზე ძაბვას და იცვლება p-n გადასასვლელის ტევადობა. შესაბამისად ხდება რეზონანსული სიხშირის მოდულაცია და ეს მოდულაცია სიხშირულია.
მის სიხშირეზე გავლენა აქ ასევე პარაზიტულ ტევადობას და პარაზიტულ ინდუქციურობას, რომლებიც ჯამში ამცირებენ თეორიულად გამოთვლილ სიხშირეს. პარაზიტულ ინდუქციურობას ქმნის შემაერთებელი მავთულები, გადაბმის ადგილები და ასე შემდეგ.
პარაზიტულ ტევადობას ქმნის ელემენტების ძალიან ახლოს განლაგება, კორპუსის კედლები, მიახლოებული რაიმე გამტარი ან თუნდაც ხელი და ნებისმიერი არასასრულველი ახლოს განლაგებული საგანი.
მოკლედ გეტყვით, რეზონანსული სიხშირის გამოსათვლელად საკმაოდ რთული დიფერენციალური განტოლებები იწერება და მათი აქ დაწერა და ამოხსნა ზედმეტი მეტიჩრობა მგონია :)
ამიტომ დავდებ სიმულატორის მიერ გამოთვლის რეზონანსულ სიხშირეს, თუ ჩავთვლით რომ ბაზა-ემიტერის ტევადობა 5 პიკოფარადია.
სიმულატორს ქვია RFSim99 უფასოა მგონი და რუსულ საიტებზე უნდა იდოს. მე დიდი ხნის წინ გადმოვწერე და არც კი მახსოვს საიდან.
სიმულატორი აჩვენებს 84 მეგაჰერცს.

მიმაგრებული სურათი (გადიდებისთვის დაუწკაპუნეთ სურათზე)

დიოდებზე დავწერ მოკლედ, დიოდი ეს არის მოწყობილობა რომელსაც ორი "ფეხი" აქვს, ერთი მიმართულებით ატარებს დენს, მეორე მიმართულებით კი არ ატარებს. სანამ ნახევარგამტარებს აღმოაჩენდნენ, მანამდე იყენებდნენ ვაკუუმურ მილაკებს, ეგრედ წოდებულ "ლამფებს". ლამფური დიოდის აგებულია შემდეგნაირად: ვაკუუმში მოთავსებულია ერთმანეთისგან დაშორებული ორი ელექტროდი, ჩვეულებრივ შემთხვევაში დენს არ ატარებს, მაგრამ თუ ერთერთ ელექტროდს გავაცხელებთ მაღალ ტემპერატურამდე, მაშინ თავს იჩენს ელექტრონების ემისიის ეფექტი, ანუ თუ გახურებულ ელექტროდზე მოდებულია მინუსი ხოლო ცივ ელექტროდზე პლიუსი, მაშინ გახურებული ელექტროდიდან ელქტრონები ამოცვივდებიან და მიემართებიან მეორე ელექტროდისკენ, შესაბამისად დიოდი დენს გაატარებს. თუ შევცვლით პოლარობას და გახურებულ ელექტროდზე მოვდებთ პლიუსს ხოლოდ ცივზე მინუსს მაშინ ელექტრონების ემისია ვერ მოხდება ცივი ელექტროდიდან და დიოდიც შესაბამისად არ გაატარებს დენს.

ცვლადი დენის წრფივი გამაძლიერებლის ტრანზისტორზე წანაცვლების დენის რეზისტორის ნომინალის შერჩევა:
მოცემულ ნახაზზე მაჩვენებია ტიპიური სქემა. დაგვჭირდება ცვლადი სინუსოიდალური დენის გენერატორი, კვების სტაბილიზირებული წყარო(ელემენტი კრონაც გამოდგება) და ოსცილოგრაფი.
საერთოდ, რადიომოყვარულმა ჯერ სამუშაო ადგილი უნდა მოიწყოს, სადაც ტესტერი, ცვლადი დენის გენერატორი, კვების წყარო და ოსცილოგრაფი აუცილებელი ხელსაწყოებია.
ჩავრთავთ ტრანზისტორზე აწყობილ სქემას კვებაში, მივუერთებთ ოსცილოგრაფს და გენერატორს როგორც ნახაზზეა ნაჩვენები. R1 ცვალდი წინაღობით ნელნელა ვზრდით სიგნალს სქემის შესასვლელზე მანამ, სანამ ოსცილოგრაფზე სინუსოიდა არ დამახინჯდება. ჩვეულებრივ სინუსოიდას ცალი მხარე წაეკვეთება ხოლმე. შემდეგ R2 ს ვატრიალებთ მანამ, სანამ ისევ არ აღდგება სინუსოიდა. კვლავ ვზრდით R1 ით შემავალ სიგნალს და ვატრიალებთ R2 ს სანამ ოსცილოგრაფზე სინუსოიდას უკვე ორივე მხარე თანაბრად ოდნავ წაეკვეთება. შემდეგ ვზომავთ ტესტერით R2 ის წინაღობას იმ ფეხებზე, რომელიც სქემაში იყო ჩართული, ვამატებთ 20 კილოომს და ტრანზისტორის ბაზასა და კოლექტორს შორის ვაყენებთ ამ წინაღობის უკვე მუდმივ რეზისტორს.
შეგვიძლია გენერატორით მივაწოდოთ სხვადასხვა სიხშირე და ვნახოთ ოსცილოგრაფზე როგორ მუშაობს სქემა სხვადასხვა სიხშირულ დიაპაზონში. ასევე შეგვიძლია ვნახოთ ოსცილოგრაფით სიგნალის ამპლიტუდა სქემის გამოსასვლელზე, შემდეგ შესასვლელზე, (R1 და C1 ის შეერთების ადგილზე) და მათი ერთმანეთზე გაყოფით გამოვთვალოთ სქემის გაძლიერების კოეფიციენტი

This post has been edited by ZAZAi on 14 Oct 2011, 14:44

მიმაგრებული სურათი

ამ სქემის საშუალებით გადამცემი უფრო ძლიერი ხდება, მაგრამ რეგულირებაც რთულდება.
ესაა ძალიან საინტერესო სქემა, სადაც ტრანზისტორი ორმაგ ფუნქციას ასრულებს: გენერატორის ემიტერის წრედში და გამაძლიერებლის კოლექტორის წრედში. ჯერ L1C1 კონტურს ვაწყობთ სასურველ სიხშირეზე და შემდეგ L2C3 კონტურს ვაწყობთ ამ სიხშირის რეზონანსში, მაგრამ ამ საქმისთვის უკვე გვჭირდება ხელსაწყოები: მაგნიტური ველის დაძაბულობის საზომი ხელსაწყო და მაღალი სიხშირის სპექტრის ანალიზატორი. ეს საკმაოდ ძვირი სიამოვნებაა. ვისაც ეს არა აქვს, წვალებით და ჯახირით ახერხებს გადამცემის დარეგულირებას :)
თუ L2C3 კონტურს ავაწყობთ მეორე ან მესამე ჰარმონიკაზე, ტრანზისტორი სიხშირის გამამრავლებელ ფუნქციასაც შეასრულებს. ასეთი გადაწყვეტა ზრდის გადამცემის სიხშირულ სტაბილურობას.
ეს სუფთა თეორიული სქემაა. პრაქტიკულ სქემას ჭირდება მოდულატორი და ანტენასთან ან შემდეგ კასკადთან შემათანხმებელი წრედი

This post has been edited by ZAZAi on 14 Oct 2011, 15:15

მიმაგრებული სურათი

ZAZAi

ისადა ცვლადი დენის გენერატორი სად შეიძლება გავჩითო??? ოსცილოგრაფი??? ოღონდ ნახმარი და რამე... crt თუ იქნება გაასწორებს :) ვიყავი მშრალ ხიდზე... ტესტერი ვიყიდე, რამდენიმე ტრანზისტორი :yes: ე.წ. კრაკადილები და 2 nixie :) მეტი ფული აღარ მქონდა :drug:

This post has been edited by sv@mp on 14 Oct 2011, 16:24

რახან ფორუმზე პოსტავთ, ესეიგი კომპიუტერები ყველას გაქვთ. ამიტომ მალე დავდებ ინფოს, როგორ შეიძლება გამოვიყენოთ კომპიუტერის საუნდ კარტა ბგერითი სიხშირის გენარატორად, ოსცილოგრაფად და სპექტრის ანალიზატორად

აბა ჯიგრებო :) ცოტა მმმ :)

კაჟბადის კრიასტალი არის 4- ვალენტიური მყარი კრისტალური მესერი.
ანუ: სითბური ეფექტის შედეგად
ელექტრონი შეიძლება ”ამოვარდეს” და მცირე დროით გახდეს თავისუფალი, ატომი კი
(ამავე დროით) გახდეს დადებითად დამუხტული იონი.
რეკომბინაცია
ეს იონი არის ”ხვრელი”.
ელექტრონების განთავისუფლება და რეკომბინაცია ხშირად ხდება და გამოდის რომ
კრისტალში კონკრეტულ მომენტში თავისუფალი ელქტრონების რაღაც რაოდენობა მაინც
არსებობს.
ამ კრისტალს ძაბვის წყაროს ელექტროდებთან თუ დავაკავშირებთ,
დადებითი ელექტროდი მიიზიდავს თავისუფალ ელექტრონებს, თავისუფალი ელექტრონი
შეავსებს გვერდზე მყოფ ხვრელს (+ ელექტროდის მიმართულებით ! ), იმ პირველ ხვრელს
შეავსებს მინუს-კონტაქტის მხრიდან სხვა ელექტრონი და შედეგად მივიღებთ ელექტროდენს.
ამ პროცესს საკუთარი ნახევარგამტარობა ქვია.

ისევ ქიმია და 5-ვალენტიანი ფოსფორი შევურიოთ ამ კაჟბადს. 4 ვალენტობით (4 გარე შრეზე მყოფი ელექტრონით)
ფოსფორის ატომი დაუკავშირდება კაჟბადის ატომებს, ერთი ელექტრონი კავშირის გარეშე
რჩება და ადვილად თავისუფლდება. ამ შენაერთში ასევე ხდება თავისუფალი ელექტრონების
და ხვრელების წარმოქმნა, ამ პროცესს ემატება ფოსფორის ატომის მეხუთე ელექტრონი და გამოდის
რომ ელექტრონების რაოდენობა შენაერთში საშუალოდ მეტია ხვრელების რაოდენობაზე,
გამტარობა ელექტრონული ხასიათისაა, მინარევს ”დონორი”ქვია (ფოსფორი ელექტრონს
გასცემს), შენაერთს კი n-ნახევარგამტარი.

ავიღოთ და 3-ვალენტიანი ბორი შევურიოთ ამ სუფთა კრისტალს. (”სუფთა” ნიშნავს
არაუმეტეს მინარევის 1 ატომი 1 000 000 000 კაჟბადის ატომზე, ანუ ძალიან სუფთა )
ბორი 3 ელექტრონით დაუკავშირდება კაჟბადს, მაგრამ კაჟბადის მეოთხე ელექტრონი
ხშირად მაინც უკავშირდება ამ ბორის ატომს და ეს ატომი ხდება უარყოფითად დამუხტული
იონი, ის კაჟბადის ატომი კი დადებით მუხტს იძენს და ხდება ხვრელი.
ამ სახის მინარევს ქვია "აქცეპტორი" (ანუ იღებს ელექტრონებს),
შენაერთს კი "p-ნახევარგამტარი."

p და n ნახევარგამტარებს ერთმანეთთან კონტაქტში თუ მოვიყვანთ (სურათი 1), საინტერესო ეფექტს
ექნება ადგილი: სასაზღვრო ზოლში n-ნახევარგამტარის ელექტრონები შეავსებენ p-ნახევარგამტარის
ხვრელებს და n-შენართის მხრიდან დარჩება კაჟბადის დადებითად დამუხტული იონები,
p-შენართის მხრიდან კი უარყოფითად დამუხტული ბორის იონები, მარტივად რომ ვთქვათ
წარმოიქმნება კონდენსატორის ანალოგი, რომელიც დაახლოებით 0.7 ვოლტის
პოტენციალით არის დამუხტული (კაჟბადისთვის).

სურათი 1.

ეს სასაზღვრო ზოლი გარკვეული სისქისაა, პრაქტიკულად
ერთ მხარეს (მაგალითად n მხარეს ) მინარევის კონცენტრაცია
გაცილებით მეტია მეორე მხარესთან შედარებით, ამიტომ საზღვარი უფრო მეტად გავრცობილია
დაბალი კონცენტრაციის მქონე ნახევარგამტარში .

დავუშვათ n-ნახევარგამტარში ფოსფორის კონცენტრაცია მეტია (აღნიშნულია n+).
n და p მხარეებს ძაბვის წყაროს თუ მივუერთებთ (”-” n მხარეს, ”+” p მხარეს), გარე ძაბვა
(0.7 ვოლტზე მეტი) გაანეიტრალებს არსებული ”კონდენსატორის” მუხტს,
მინუს-ელექტროდიდან გამოსული ელექტრონები და თავისუფალი ელექტრონები
დაიწყებენ მოძრაობას +ელექტროდისკენ, გადავლენ p მხარეს (ამას ”ინჟექცია” ქვია)
და გადავლენ +ელექტროდში, ანუ ამ მიმართულებით გავა დენი.

ელექტროდებს საპირისპიროდ თუ მივუერთებთ, +ელექტროდი მიიზიდავს n მხარეს
არსებულ ელექტრონებს, -ელექტროდიდან გამოსული ელექტრონები ხვრელების
ნეიტრალიზაციას შეუწყობს ხელს, p-n-საზღვარი გაფართოვდება და ჩამკეტის როლს
შეასრულებს, ანუ დენი არ გავა.
მიამაგრეთ ორივე მხარეს კონტაქტები, ჩასვით ეს ყველაფერი კორპუსში და მიიღებთ
დიოდს (დიოდი მოწყობილობაა რომელიც დენს ერთი მიმართულებით ატარებს,
გმოიყენება მაგალითად ცვლადი დენის გამართვისთვის)
"""""
""{
ქუოტე მთლიანად :)
აბა ფიზიკოსები და ელექთრონშიკები ვისაც ცემგან განსხვავებით არა ფრაგმენტული არამედ საფუძვლიანი ცოდნა აქვას :) (ვაი მეეე ლოლ :) რესპექტ))
იესს :))

* * *
აბა ჯიგრებო საფუძვლებს მივხედოთ :)
არა რატო ვიძახი ამას, კონკრეტულად ვხედავ, დონე "ნი ტო" , ინტერესი კლებულობს,, გამოდებილდება თაობა რა ... იმენნა... :) ოჰჰჰ... კაი ყოლიფერი პრინციპში ოკ :)

Davion
ეს ცოდნა ჯიგარო, :) საჭიროა მისთვის, ვინც ახალ ტრანზისტორს ან ჩიპს ქმნის. რადიოინჟინრისთვის ან კონსტრუქტორისთვის სრულიად საკმარისია არსებული კომპონენტების მახასიათებლების და ცოკოლევკის ცოდნა.
და ნუ მიგრუზავ აქ ხალხს :)

ZAZAi
Davion
მითხარით რა სად ვიშოვო ცვლადი დენის გენერატორი :(
კომპში დავაყენე ოსცელოგრაფი... xoscope ქვია :) ლინუქსი მაქ :)
ხოდა ისე მამენტ ოსცილოგრაფის გამოყენების პრინციპიც რომ დაწეროთ :mo: ერთხელ მინახავს მარტო... ფიზიკის ინსტიტუტში ვიყავი და იქ ჩამირთეს... ცვლადი დენის გენერატორზე იყო მიერთებული, რომელიც მერე დაიწვა... ბოლი აუვიდა :drug: მაგრად მეუასა :mo:
სად შეიძლება ვიშოვო ეგ ოსცილოგრაფი და ცვლადი დენის გენერატორი??? ნახმარი იყოს თუნდაც :mo: ოთახი ისედაც რაღაცა კატასტროფას გავს... და ბარემ ბოლომდე ლაბს დაემსგავსოს...

This post has been edited by sv@mp on 15 Oct 2011, 13:03