UPDATE
......................................................................................................
Intel Celeron D 347, 3082 MHz /512/533 ის მაგივრად
Intel Pentium 4 640 3.2Ghz/2M/800 ეს რომ ჩავდგა
ოპერებიც უნდა შევცვალო?
......................................................................................................
ეხლა მიყენია DDR2-667 (333 MHz)
.....................................................................................................
--------[ ЦП ]----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Свойства ЦП:
Тип ЦП Intel Celeron D 347, 3082 MHz (23 x 134)
Псевдоним ЦП Cedar Mill-512
Степпинг ЦП D0
Наборы инструкций x86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3
Исходная частота 3066 МГц
Мин./макс. множитель ЦП 12x / 23x
Engineering Sample Нет
Кэш L1 трассировки 12K Instructions
Кэш L1 данных 16 Кб
Кэш L2 512 Кб (On-Die, ECC, ATC, Full-Speed)
Физическая информация о ЦП:
Тип корпуса 775 Contact LGA
Размеры корпуса 3.75 cm x 3.75 cm
Технологический процесс 65 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, High-K Gate, Strained Si
Размер кристалла 81 mm2
Напряжение питания ядра 1.27 V
Напряжение I/O 1.27 V
Производитель ЦП:
Фирма Intel Corporation
Информация о продукте
http://www.intel.com/products/processor Загрузка ЦП:
ЦП #1 66 %
[ DIMM1: 1GBUMURZXNBC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля 1GBUMURZXNBC
Серийный номер 674B574Ah (1247234919)
Размер модуля 1 Гб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
[ DIMM3: Kingston 9905316-005.A04LF ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Kingston 9905316-005.A04LF
Серийный номер D13A7156h (1450261201)
Дата выпуска Неделя 34 / 2007
Размер модуля 1 Гб (2 ranks, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR2 SDRAM
Скорость памяти DDR2-667 (333 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 333 МГц 5-5-5-15 (CL-RCD-RP-RAS) / 20-35-3-5-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 266 МГц 4-4-4-12 (CL-RCD-RP-RAS) / 16-28-2-4-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 3-3-3-9 (CL-RCD-RP-RAS) / 12-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
Функции модуля памяти:
Analysis Probe Нет
FET Switch External Запрещено
Weak Driver Поддерживается
Производитель модуля памяти:
Фирма Kingston Technology Company, Inc.
Информация о продукте
http://www.kingston.com/products/default.asp